光化学蒸着SiO<sub>2</sub>層を有するAlGaN/GaN MOS-HFETの高温特性と高周波特性

文献

J-GLOBAL ID：200902285514374402 整理番号：05A0365396

光化学蒸着SiO₂層を有するAlGaN/GaN MOS-HFETの高温特性と高周波特性

High temperature and high frequency characteristics of AlGaN/GaN MOS-HFETs with photochemical vapor deposition SiO₂ layer

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著者 (9件)：

WANG C.K.

WANG C.K. について

(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)