高信頼性0.34μm<sup>2</sup>セル,64Mbおよび1T1C FRAMの製造技術

文献

J-GLOBAL ID：200902285568730069 整理番号：07A0689615

高信頼性0.34μm²セル,64Mbおよび1T1C FRAMの製造技術

Manufacturing Technologies for a Highly Reliable, 0.34um²-Cell, 64Mb, and 1T1C FRAM

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著者 (16件)：

KIM J.-H.

KIM J.-H. について

(Samsung Electronics Co. Ltd., Kyungki-Do, KOR)