文献
J-GLOBAL ID:200902285612157770   整理番号:04A0511876

a-SiC:H積層素子に関するオプトエレクトロニック キャラクタリゼーション

Optoelectronic characterization of a-SIC:H stacked devices
著者 (6件):
資料名:
巻: 338/340  ページ: 345-348  発行年: 2004年06月15日 
JST資料番号: D0642A  ISSN: 0022-3093  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
非晶質シリコン合金材料に基づいた二重pin素子について,大面...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0511876&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0642A") }}
分類 (4件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  非晶質半導体の構造  ,  測光と光検出器一般  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る