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J-GLOBAL ID：200902285662761563   整理番号：07A0771183

E₁およびE₁+Δ₁遷移周辺でのGaAs(001)の反射率差分光に対する再構成誘導歪みの効果

Effect of reconstruction-induced strain on the reflectance difference spectroscopy of GaAs (001) around E₁ and E₁+Δ₁ transitions

著者 (6件)： LASTRAS-MARTINEZ L. F. (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, San Luis Potosi, MEX) ,  FLORES-CAMACHO J. M. (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, San Luis Potosi, MEX) ,  BALDERAS-NAVARRO R. E. (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, San Luis Potosi, MEX) ,  CHAVIRA-RODRIGUEZ M. (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, San Luis Potosi, MEX) ,  LASTRAS-MARTINEZ A. (Universidad Autonoma de San Luis Potosi, San Luis Potosi, MEX) ,  CARDONA M. (Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 75  号： 23  ページ： 235315.1-235315.6  発行年： 2007年06月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c(4×4)および(2×4)再構成に対してE<sub>1<...

シソーラス用語： *表面再構成 ,...
準シソーラス用語： *反射率差分光法

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分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 遷移 ,  周辺 ,  GaAs ,  反射率 ,  分光 ,  再構成 ,  誘導 ,  歪み