文献
J-GLOBAL ID:200902285664887440   整理番号:07A0319764

高移動度In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As変調ドープ電界効果トランジスタ構造の表面におけるFermiエネルギーピン止め

Fermi energy pinning at the surface of high mobility In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As modulation doped field effect transistor structures
著者 (2件):
資料名:
巻: 90  号: 13  ページ: 133506-133506-3  発行年: 2007年03月26日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
高移動度In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A0319764&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る