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J-GLOBAL ID：200902296437471264   整理番号：03A0655492

InN薄膜のRF-MBE成長 窒素流量および成長温度依存性

著者 (5件)： 有持祐之 (東大) ,  西尾晋 (東大) ,  片山竜二 (東大) ,  尾鍋研太郎 (東大) ,  白木靖寛 (東大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 1  ページ： 302  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： InN ,  薄膜 ,  RF-MBE ,  成長 ,  窒素 ,  流量 ,  温度依存性