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J-GLOBAL ID：201002200941055313   整理番号：10A0503235

深UVの光エレクトロニクス応用のために分子線エピタクシーによって成長させた立方晶Zn_xMg_1-xOとNi_xMg_1-xO薄膜

Cubic Zn_xMg_1-xO and Ni_xMg_1-xO thin films grown by molecular beam epitaxy for deep-UV optoelectronic applications

著者 (5件)： MARES J. W. (Univ. of Central Florida, FL, USA) ,  BOUTWELL C. R. (Univ. of Central Florida, FL, USA) ,  SCHEURER A. (Univ. of Central Florida, FL, USA) ,  FALANGA M. (Univ. of Central Florida, FL, USA) ,  SCHOENFELD W. V. (Univ. of Central Florida, FL, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7603  ページ： 76031B.1-76031B.12  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DUV(深紫外)検出素子を実現するために,プラズマ支援MBEによって,格子整合したMgO基板上に,Zn_xMg_1-xO薄膜とNi_xMg_1-xO薄膜を成長させた。膜の特性を,Rutherford後方散乱(RBS),X線回折(XRD),原子間力顕微鏡観察(AFM)によって評価した。ほとんどの膜のRMS(二乗平均平方根)表面粗さは1nm以下である。Ni_xMg_1-xOにおいて組成を変化させると,バンドギャップが,3.5eV(x=1)から7.8eV(x=0)まで変化する。Zn_xMg_1-xO膜の場合は,約5eV(x=0.42)から7.8eV(x=0)まで変化する。可視光に感度のない光検出器の作製に成功した。

シソーラス用語： *亜鉛化合物 ,  マグネシウム化合物 ,  *ニッケル化合物 ,  化合物半導体 ,  固溶体 ,  半導体薄膜 ,  MBE成長 ,  *紫外検出器 ,  表面粗さ ,  電気抵抗率 ,  *紫外スペクトル ,  光学ギャップ ,  *光伝導 ,  濃度依存性 ,  Rutherford後方散乱 ,  RHEED ,  顕微鏡観察 ,  原子間力顕微鏡 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  X線回折 ,  酸化物
準シソーラス用語： 透過スペクトル

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 深UV ,  光エレクトロニクス ,  応用 ,  分子線エピタクシー ,  成長 ,  立方晶 ,  薄膜