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J-GLOBAL ID：201002210726890010   整理番号：10A0362078

100アンペア(A)以上で動作する高い絶縁破壊電圧を持つSi基板上のノーマリーオフAlGaN/GaNハイブリッドMOS-FET

Over 100A operation normally-off AlGaN/GaN hybrid MOS-HFET on Si substrate with high-breakdown voltage

著者 (7件)： KAMBAYASHI Hiroshi (Advanced Power Device Res. Assoc., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN) ,  SATOH Yoshihiro (Advanced Power Device Res. Assoc., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN) ,  OOTOMO Shinya (Yokohama R&D Laboratories, Furukawa Electric Co., Ltd., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN) ,  KOKAWA Takuya (Advanced Power Device Res. Assoc., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN) ,  NOMURA Takehiko (Advanced Power Device Res. Assoc., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN) ,  KATO Sadahiro (Advanced Power Device Res. Assoc., 2-4-3 Okano, Nishi-ku, Yokohama 220-0073, JPN) ,  CHOW Tat-sing Pawl (The Center for Integrated Electronics, Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY 12180, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 6  ページ： 660-664  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大電流動作のためSi基板上におけるノーマリーオフAlGaN/GaNハイブリッドMOSヘテロ接合-FET(MOS-HFET)の実証試験を報告した。AlGaN/GaNハイブリッドMOS-FETはMOSチャネルと高移動度2次元電子ガス(2DEG)を持つAlGaN/GaNヘテロ構造の両方のメリットを持つ。2μmチャネル長と340mmチャネル幅により100A以上の最大ドレイン電流が実現された。これはノーマリーオフGaNベースFETに対する最良値である。比オン抵抗は9.3mΩcm²である。また製作されたデバイスは2.7Vのしきい値電圧と600V以上の破壊電圧を持ち,良好なノーマリーオフ動作を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ターンオフ ,  絶縁破壊 ,  二次元電子ガス ,  オン抵抗 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合FET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁破壊電圧 ,  Si基板 ,  ノーマリーオフ ,  AlGaN ,  GaN ,  MOS ,  FET