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J-GLOBAL ID：201002211213946432   整理番号：10A0674178

トンネリングエネルギー1Kにおける二層系v=1量子ホール状態について-総電子密度依存性および電子密度比依存性の観察-

著者 (6件)： 森川智喜 (京大) ,  鄭仰東 (京大) ,  福田昭 (兵庫医大 医 物理学) ,  津田是文 (京大) ,  新井敏一 (京大 低温物質科学研究セ) ,  澤田安樹 (京大 低温物質科学研究セ)
資料名： 京都大学低温物質科学研究センター誌  (LTMセンター誌)
号： 16  ページ： 45  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： L7590A  ISSN： 1348-317X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子Hall効果 ,  トンネル効果 ,  二次元電子ガス ,  Bose凝縮 ,  電子密度 ,  活性化エネルギー

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 二層 ,  量子 ,  ホール ,  電子密度 ,  依存性 ,  観察