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J-GLOBAL ID：201002222876987045   整理番号：10A0836189

熱酸化Znイオン注入Si(001)上のZnOナノ粒子の成長挙動

Growth behavior of ZnO nanoparticles formed on Zn implanted Si(001)combined with thermal oxidation

著者 (7件)： Fu Wei-Jia (Dalian Univ. of Technol., Liaoning, Dalian) ,  Liu Zhi-Wen (Dalian Univ. of Technol., Liaoning, Dalian) ,  Liu Ming (Dalian Univ. of Technol., Liaoning, Dalian) ,  Mu Zong-Xin (Dalian Univ. of Technol., Liaoning, Dalian) ,  Zhang Qing-Yu (Dalian Univ. of Technol., Liaoning, Dalian) ,  Guan Qing-Feng (School of Materials Sci. and Engineering, Jiangsu Univ., Jiangsu, Zhenjiang) ,  Chen Kang-Min (School of Materials Sci. and Engineering, Jiangsu Univ., Jiangsu, Zhenjiang)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 58  号： 8  ページ： 5693-5699  発行年： 2009年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Si(001)チップに40keVのZnイオンを異なるイオン線量でイオン注入して,異なる温度で空気内アニールした。原子力マイクロスコピー,透過電子マイクロスコピー,X線回折,電子プローブを適用して,異なる温度でのイオン注入直後またはアニール化チップの微細構造,形態,化学組成を調べた。注入直後Zn原子が,アニーリング過程の間,チップ表面下35nmで散乱クラスタに凝集し,Zn原子がチップの表面に向けて移動し,非晶質SiO_2層と多結晶ラインSi層の界面にナノ粒子が凝集した。アニーリング温度は,ZnOナノ粒子の形成制御因子であると分かった。ZnOナノ粒子は,400°C付近で現れ始めた。アニーリング温度の上昇で,ZnOの回折強度は強くなるが,金属Znの回折強度が弱くなった。800°Cのアニーリング温度では,Zn_2SiO_4相が,ZnOとSiO_2またはSiの反応により観測された。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *ナノ粒子 ,  熱酸化 ,  電子プローブ ,  イオンビーム ,  微細構造 ,  化学組成 ,  X線回折 ,  非晶質 ,  多結晶 ,  *酸化亜鉛 ,  結晶成長 ,  亜鉛 ,  ケイ素 ,  クラスタ
準シソーラス用語： アニーリング温度

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱酸化 ,  Znイオン ,  注入 ,  Si ,  ZnOナノ粒子 ,  成長 ,  挙動