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J-GLOBAL ID：201102222260629525   整理番号：11A1180041

高速回復ダイオードの高温動作を可能にする電界遮蔽陽極(FSA)概念

Field Shielded Anode (FSA) Concept Enabling Higher Temperature Operation of Fast Recovery Diodes

著者 (5件)： MATTHIAS S. (ABB Switzerland Ltd Semiconductors, Lenzburg, CHE) ,  VOBECKY J. (ABB Switzerland Ltd Semiconductors, Lenzburg, CHE) ,  CORVASCE C. (ABB Switzerland Ltd Semiconductors, Lenzburg, CHE) ,  KOPTA A. (ABB Switzerland Ltd Semiconductors, Lenzburg, CHE) ,  CAMMARATA M. (ABB Switzerland Ltd Semiconductors, Lenzburg, CHE)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 23rd  ページ： 88-91  発行年： 2011年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プレーナ形接合終端化により高速回復ダイオードの高温動作を可能にする,電界遮蔽陽極(FSA)概念をチップ-ダイオード用に導入した。実験により,放射線欠陥を有する領域と逆阻止中形成した空間電荷領域の空間分離により,局所軸方向キャリア寿命制御原理を適用した従来型ダイオードと比較して,優れた静的阻止能力を得ることができることを示した。従来型ダイオードの挙動に整合したバッファードーピング濃度の微調整により,軟逆回復挙動を得ることを実証した。特殊な接合拡張の導入により,電流集中を効率良く抑制した。また,漏洩電流を~4倍低減するとともに,新FSA概念を用いて,チップレベルで確認したダイオードの安全動作領域(SOA)は,低濃度ドープpバッファー領域なしの従来型基準ダイオードのロバスト性を越えることができた。これは,活性領域とガードリング終端間に導入した特殊な接合拡張により実現した。さらに,新陽極の高ドーピングプロファイル部により,サージ電流を同一レベルに維持した。FSA概念は,高電流領域での局所軸方向キャリア寿命制御原理の利点と低電流領域でのエミッタ制御原理の利点を組み合せたものである。

シソーラス用語： *電磁遮蔽 ,  *アノード ,  *高温 ,  *動特性 ,  漏れ電流 ,  格子欠陥 ,  空間電荷 ,  限界 ,  *ダイオード ,  *ドーピング ,  キャリア寿命
準シソーラス用語： 安全動作領域 ,  高速回復ダイオード ,  放射線欠陥

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 回復 ,  ダイオード ,  高温動作 ,  電界 ,  遮蔽 ,  陽極 ,  概念