文献

J-GLOBAL ID：201102229508938451   整理番号：11A1180322

6GHz CMOS VCO用ファンアウトeWLBにおける高Qの埋め込みインダクタ

High-Q Embedded Inductors in Fan-Out eWLB for 6GHz CMOS VCO

著者 (6件)： WOJNOWSKI M. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  ISSAKOV V. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  KNOBLINGER G. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  PRESSEL K. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  SOMMER G. (Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU) ,  WEIGEL R. (Univ. Erlangen-Nuremberg, Erlangen, DEU)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 61st Vol.2  ページ： 1363-1370  発行年： 2011年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実装されたeWLB(埋め込みウエハレベルボールグリッドアレイ)のファンイン区域とファンアウト区域の中の高Qインダクタを提示し,Sパラメータ計測によって特性化した。新しいeWLB技術は,数GHzの領域で非常に高いQ値を持った埋め込みインダクタを提供できることを示した。eWLBのファンアウト区域にあるインダクタは,ファンイン区域にあるインダクタに比べて一層高いQ値と高い自己共振周波数を実現することを示した。チップからパッケージへの内部接続の影響を研究した。チップからパッケージへの移行が高Qインダクタの集積に関して隘路を作ることを示した。65nm CMOS技術で作った集積VCOチップ上の埋め込み受動素子の利点と約6GHzでの動作を示した。位相雑音が9dBc/Hzまで改良できたことは通信システムの設計に恩恵をもたらした。

シソーラス用語： 半導体プロセス ,  *VCO【発振器】 ,  個数 ,  薄膜インダクタ ,  *Q値 ,  S行列 ,  位相雑音 ,  ICパッケージ
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  Sパラメータ ,  *オンチップインダクタ ,  *ファンアウト ,  *ボールグリッドアレイ

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  VCO ,  ファンアウト ,  埋め込み ,  インダクタ