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J-GLOBAL ID：201102243124596548   整理番号：11A1568606

混合イオン-電子導電(MIEC)材料に基づく多層クロスポイントメモリ用新規アクセス素子の耐久性とスケーリング傾向

Endurance and Scaling Trends of Novel Access-Devices for Multi-Layer Crosspoint-Memory based on Mixed-Ionic-Electronic-Conduction (MIEC) Materials

著者 (21件)： SHENOY R. S. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  GOPALAKRISHNAN K. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  JACKSON B. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  VIRWANI K. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  BURR G. W. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  RETTNER C. T. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  PADILLA A. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  BETHUNE D. S. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  SHELBY R. M. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  KELLOCK A. J. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  BREITWISCH M. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  JOSEPH E. A. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  DASAKA R. (IBM T.J. Watson Res. Center, NY) ,  KING R. S. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  NGUYEN K. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  BOWERS A. N. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  JURICH M. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  FRIZ A. M. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  TOPURIA T. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  RICE P. M. (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  KURDI B. N. (IBM Almaden Res. Center, CA)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2011  ページ： 94-95  発行年： 2011年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 混合イオン-電子導電(MIEC)材料に基づくバックエンド工程(BEOL)フレンドリーの新規アクセス素子(AD)の小型集積アレイを実現した。膜厚と電流の低減により,耐久性を大幅に改善した。また,耐久性は,限界長(CD)に依存せず,サブ45nm技術ノードで相変化メモリ(PCM)書込みに相当する高電流密度で>10⁸サイクルの耐久性を得ることを示した。簡単な1マスクBEOL適合化学機械研磨(CMP)プロセスを用いて,電圧マージンV_m>1.1Vと超低漏洩電流(<10pA)の全良品の5×10 ADアレイを実現した。素子スケーリングと新材料により,電圧マージンV_mの一層の改善が予想される。

シソーラス用語： *スケーリング【計数】 ,  *不揮発性メモリ ,  *相転移 ,  MRAM ,  *混合伝導 ,  *イオン伝導 ,  *半導体プロセス ,  生産ライン ,  膜厚 ,  寸法精度 ,  データ書込 ,  電流密度 ,  化学研磨 ,  漏れ電流 ,  PRAM【メモリ】 ,  化学機械研磨
準シソーラス用語： 相変化メモリ ,  RRAM ,  BEOL ,  MIEC ,  CMP【化学研磨】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン ,  電子 ,  多層 ,  アクセス ,  スケーリング ,  傾向