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J-GLOBAL ID：201102275579641389   整理番号：11A0795752

熱ルミネッセンス法による酸化物半導体の電子トラップ状態計測

著者 (4件)： 宮本真太郎 (広島大 大学院) ,  末貞和真 (広島大 大学院) ,  梶山博司 (広島大 大学院) ,  中澤明 (グエラテクノロジー)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26P-BF-22  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 熱ルミネセンス ,  *化合物半導体 ,  *エネルギー準位 ,  紫外線照射 ,  活性化エネルギー ,  *酸化物半導体 ,  ワイドギャップ半導体 ,  *電子トラップ
準シソーラス用語： *トラップ【固体】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱ルミネッセンス法 ,  酸化物半導体 ,  電子トラップ ,  計測