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J-GLOBAL ID：201102299405803432   整理番号：11A1130316

InGaN/GaN MQW LEDの層構造に依存する格子定数変動の直接観察

Direct observation of lattice constant variations depending on layer structures in an InGaN/GaN MQW LED

著者 (6件)： KIMURA Shigeya (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TACHIBANA Koichi (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OKA Toshiyuki (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAGO Hajime (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHIDA Hisashi (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NUNOUE Shinya (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 7939  ページ： 79392D.1-79392D.6  発行年： 2011年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LEDに高密度の貫通転位があってもInGaNウェル層のナノメータスケールの特別な位置にある局在励起子によって効率の高いルミネセンスが得られることは周知である。よって,青色LEDの内部効率を高めるために’ナノメータスケールの特別な位置’の調査が不可欠である。HRTEMで得た格子画像と格子画像のFFTM解析から,InGaN量子井戸層が5nm厚のGaNバリア層上にインコヒーレントに成長することを直接観察した。10nm厚バリア層のInGaNウェル層は均一であり格子乱れは見られない。薄いGaNバリア層のInGaN/GaN MQWにおける過剰な歪がInGaNウェル層の格子乱れの原因になっている。薄いGaNバリア層ではインジウム組成のばらつきも見られた。MQWにおける10nm厚バリア層のエレクトロルミネセンス強度は5nm厚バリア層のものよりも高かった。

シソーラス用語： *多重量子井戸 ,  X線回折 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高速Fourier変換 ,  写像 ,  エレクトロルミネセンス ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *発光ダイオード ,  *格子定数 ,  被覆層 ,  窒化ガリウム ,  量子井戸 ,  インジウム
準シソーラス用語： GaN ,  InGaN ,  LED ,  MQW ,  バリア層 ,  マッピング

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  MQW ,  LED ,  層構造 ,  格子定数