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J-GLOBAL ID：201202213496878419   整理番号：12A0350731

超高真空透過電子顕微鏡法を用いたSi(110)上におけるCoSi₂ナノワイヤーのエンドタキシャル成長のその場観測

In situ observations of endotaxial growth of CoSi₂ nanowires on Si(110) using ultrahigh vacuum transmission electron microscopy

著者 (6件)： BENNETT P A (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  SMITH David J (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  HE Zhian (Arizona State Univ., AZ, USA) ,  REUTER M C (IBM T J Watson Res. Center, NY, USA) ,  ELLIS A W (IBM T J Watson Res. Center, NY, USA) ,  ROSS F M (IBM T J Watson Res. Center, NY, USA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 22  号： 30  ページ： 305606:1-305606:7  発行年： 2011年07月29日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高真空 ,  透過電子顕微鏡 ,  Si ,  ナノワイヤー ,  成長 ,  観測