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J-GLOBAL ID：201302236148101378   整理番号：13A1768341

メタルアシスト化学エッチング(MaCE)による高アスペクト比サブ100nmシリコンビア(SV)と銅充填

High Aspect Ratio Sub-100nm Silicon Vias (SVs) by Metal-assisted Chemical Etching (MaCE) and Copper Filling

著者 (3件)： LI Liyi (Georgia Inst. Technol., GA) ,  WONG C. P. (Georgia Inst. Technol., GA) ,  WONG C. P. (Chinese Univ. Hong Kong, HKG)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 63rd Vol.3  ページ： 2326-2331  発行年： 2013年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 複数のシリコンチップを積層してなる3次元半導体装置ではシリコン基板を貫通するビアを通じて各チップを電気的に接続する。従来は,このビアを形成する方法として深堀りRIE(DRIE)法によっていたが,この方法によるアスペクト比は20~30であるためビア径と基板厚の間に一定の制限があった。本稿は,メタルアシスト化学エッチング(MaCE)法によるシリコンビア(SV)の形成と導電体の充填に関する。実験は,片面研磨(100)p型Siウェハの表面に無電解金属堆積(EMD)法によりAgナノ粒子を配置し,Ag粒子を触媒としてH₂O₂およびHFを含む溶液中でエッチングすることにより,サブ100nm径でアスペクト比が100以上のSVを形成した。また,電解めっき法によりSV内に銅を充填した。本方法によれば簡単な方法で高性能3次元半導体装置を実現することができる。

シソーラス用語： *バイアホール ,  ケイ素 ,  *エッチング ,  過酸化水素 ,  フッ化水素 ,  銅めっき ,  *触媒 ,  ナノ粒子 ,  銀
準シソーラス用語： *Si貫通ビア ,  *化学エッチング ,  銀ナノ粒子

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： メタル ,  アシスト ,  化学エッチング ,  MACE ,  高アスペクト比 ,  サブ ,  Sv ,  銅