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J-GLOBAL ID：201402201274834894   整理番号：14A0551336

溶融KCl+KOHでの化学エッチングを用いた4H-SiCウエハの機械研磨誘起表面損傷の除去

Removal of mechanical-polishing-induced surface damages on 4H-SiC wafers by using chemical etching with molten KCl+KOH

著者 (4件)： YAO Yong-Zhao (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Yukari (Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN) ,  SUGAWARA Yoshihiro ,  SATO Koji
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 778/780  号： Pt.2  ページ： 746-749  発行年： 2014年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶融 ,  化学エッチング ,  4H-SiC ,  ウエハ ,  機械研磨 ,  誘起 ,  表面損傷