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J-GLOBAL ID：201402286636823603   整理番号：14A1039988

HCI誘起急峻なVT降下とLD-PMOSFETにおけるIg-Vg曲線によるゲート酸化膜破壊用の異常な関係の調査

Investigation of Anomalous Relation for HCI-induced Abrupt VT Fall-off and Gate-oxide Destruction with Ig-Vg Curves in LD-PMOSFETs

著者 (7件)： FUJII H. (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAGAMI Y. (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  USHIRODA M. (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN) ,  FURUYA K. (Renesas Semiconductor Engineering Corp., Hyogo, JPN) ,  ONISHI K. (Renesas Semiconductor Engineering Corp., Hyogo, JPN) ,  YOSHIHISA Y. (Renesas Semiconductor Engineering Corp., Hyogo, JPN) ,  ICHIKAWA T. (Renesas Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 26th  ページ： 390-393  発行年： 2014年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ホットキャリア ,  *キャリア注入 ,  電圧 ,  *電圧降下 ,  拡散 ,  *P型半導体 ,  *MOSFET ,  *電流電圧特性 ,  ゲート【半導体】 ,  *酸化膜 ,  絶縁膜 ,  *絶縁破壊 ,  アイソレーション【IC】 ,  トレンチカット【加工】 ,  長さ
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  横拡散 ,  pMOSFET ,  ゲート酸化膜 ,  STI【アイソレーション】 ,  チャネル長

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： HCI ,  誘起 ,  VT ,  降下 ,  曲線 ,  ゲート酸化膜 ,  破壊 ,  調査