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J-GLOBAL ID：201402287535676630   整理番号：14A1187558

表面準位と電界浸透に起因するW₁₈O₄₉ナノワイヤからの電界放出の異常な温度依存性

Anomalous temperature dependence of field emission from W₁₈O₄₉ nanowires caused by surface states and field penetration

著者 (5件)： CHEN W. Q. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Material and ...) ,  ZHAN R. Z. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Material and ...) ,  DENG S. Z. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Material and ...) ,  XU N. S. (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Material and ...) ,  CHEN Jun (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Lab. of Display Material and ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 116  号： 13  ページ： 133506-133506-5  発行年： 2014年10月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化タングステン ,  *ナノワイヤ ,  *電界放出 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  表面準位 ,  浸透
準シソーラス用語： 電界浸透

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 表面準位 ,  電界 ,  浸透 ,  起因 ,  ワイヤ ,  電界放出 ,  温度依存性