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J-GLOBAL ID：201602220186126468   整理番号：16A1098447

ナノスケールでの雑音の多いすぎ,デバイスと回路におけるランダム電信雑音(RTN)の上昇【Powered by NICT】

Too noisy at the nanoscale? - The rise of random telegraph noise (RTN) in devices and circuits

著者 (6件)： Wang Runsheng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Guo Shaofeng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Ren Pengpeng (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Luo Mulong (UC San Diego) ,  Zou Jibin (Oracle Corporation, CA, USA) ,  Huang Ru (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： INEC  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,ナノスケールMOSデバイスと回路におけるランダム電信雑音(RTN)に関する著者らの最近の知見の概要を紹介します。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  *雑音
準シソーラス用語： *電信雑音 ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  電話  (ND11030P) ,  音声処理  (JE05000E) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (3件)： ナノスケール ,  雑音 ,  電信雑音