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J-GLOBAL ID:201602223861092124   整理番号:16A1363821

Tl1-xIn1-xSnxSe2(x=0.1~0.25)合金の調製と光電特性

On the preparation and photoelectric properties of Tl1-x In1-x Sn x Se2 (x = 0.1-0.25) alloys
著者 (4件):
資料名:
巻: 50  号:ページ: 38-42  発行年: 2016年01月 
JST資料番号: T0093A  ISSN: 1063-7826  CODEN: SMICES  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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Tl1-xIn1-xSnxSe2(x=0.1~0.25)合金単結晶成長のための技術的条件を展開した。T=300Kでの成長結晶の光伝導のスペクトル分布と熱刺激電気伝導を調べた。Sn4+によるTl1-xIn1-xSnxSe2(x=0.1~0.25)合金中のIn3+カチオンの置換がその光電特性に及ぼす影響を示した。Copyright 2016 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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半導体の結晶成長  ,  光伝導,光起電力 
タイトルに関連する用語 (3件):
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