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J-GLOBAL ID：201602230151641527   整理番号：16A0771570

ホスホレンマイクロ波トランジスタの連続波および過渡特性【Powered by NICT】

Continuous-wave and transient characteristics of phosphorene microwave transistors

著者 (5件)： Luo X. (Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA) ,  Xiong K. (Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA) ,  Hwang J. C. M. (Lehigh University, Bethlehem, PA 18015, USA) ,  Du Y. (Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA) ,  Ye P. D. (Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMS  ページ： 1-3  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 0.3μmゲート長と15nm厚Al2O3ゲート絶縁体を有する数層のホスホレンMOSFETは主に比較的大きなプローブパッドに関連した寄生容量のディエンベディング後2GHzの順方向電流遮断周波数と8GHzの最大発振周波数を示すことが分かった。トランジスタのゲート遅延とドレイン遅延は1μs以下のため,DC特性におけるヒステリシス,キャリアフリーズアウトまたは持続性光伝導の欠如と一致しているであることが分かった。これらの結果は,ホスホレンMOSFET小信号と大信号応用の両方のための実行可能なマイクロ波トランジスタできることを確認した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： アルミナ ,  *連続波 ,  遮断周波数 ,  *過渡応答 ,  ヒステリシス ,  MOSFET ,  光伝導 ,  漂遊容量 ,  *マイクロ波トランジスタ ,  *トランジスタ ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 大信号 ,  持続性 ,  発振周波数 ,  ゲート長 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： レーダ  (ND13010H) ,  音響測定  (BB03040R) ,  リモートセンシング一般  (AD04000L)

タイトルに関連する用語 (4件)： ホスホレン ,  マイクロ波トランジスタ ,  連続波 ,  過渡特性