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J-GLOBAL ID：201602231453634098   整理番号：16A0919277

Pd/CuドープZnO/Si及びNi/CuドープZnO/Si Schottkyダイオードの製作及び特徴づけ

Fabrication and characterization of Pd/Cu doped ZnO/Si and Ni/Cu doped ZnO/Si Schottky diodes

著者 (5件)： Agarwal Lucky (Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India) ,  Singh Brijesh Kumar (Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India) ,  Tripathi Shweta (Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India) ,  Chakrabarti P. (Department of Electronics & Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology, Allahabad 211004, India) ,  Chakrabarti P. (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (Banaras Hindu University), Varanasi 221005, India)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 612  ページ： 259-266  発行年： 2016年08月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,銅ドープZnO(CuドープZnO)に基づくSchottkyデバイスの製造及び特性評価について報告した。ゾル-ゲルスピンコート法により,p型Si(100)試料上にCuドープZnOを堆積した。X線回折(XRD)及び原子間力顕微鏡(AFM)研究により,膜の構造的及び形態学的特性の評価を行い,角度可変偏光解析法を用いて,膜の光学特性を決定した。さらに,堆積したCuドープZnO膜のSeebeck測定により,試料のp型導電性を確認する肯定的Seebeck係数を得た。4端子測定装置を用いて,膜の抵抗率及びアクセプタ濃度を評価した。Schottky接触を形成するために,低コスト熱蒸着法を用いて,個別のCuドープZnO薄膜試料上にPd及びNi金属を堆積した。Schottkyダイオードの電気的特性評価は,半導体素子アナライザ(SDA)により実施した。従来の熱電子放出モデル及びCheungの方法を用いて,製作したSchottkyダイオードに対する障壁の高さ,理想係数,反転飽和電流,及び整流比等の電気的パラメータを決定した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *パラジウム ,  *銅 ,  *ニッケル ,  *ドーピング ,  *キャラクタリゼーション ,  ゾル-ゲル法 ,  *薄膜 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  構造特性 ,  特性 ,  偏光解析法 ,  光学的性質 ,  輸送係数 ,  精密測定 ,  電気抵抗率 ,  アクセプタ ,  真空蒸着 ,  半導体素子 ,  分析機器 ,  熱電子放出
準シソーラス用語： *Schottkyダイオード ,  Pd ,  Cu ,  Ni ,  ドープ ,  *特性評価 ,  *ZnO薄膜 ,  構造的特性 ,  形態学的特徴 ,  光学特性 ,  Seebeck係数 ,  四端子法 ,  真空蒸着法 ,  アナライザ ,  半導体素子アナライザ

著者キーワード (4件)： p-type ZnO ,  Cu doping ,  Sol-gel method ,  Schottky diode

分類 (3件)： ダイオード  (NC03050R) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (8件)： Pd ,  Cu ,  ドープ ,  ZnO ,  Si ,  Ni ,  Schottkyダイオード ,  製作