65nm技術で加工したMOSFETの低周波雑音特性【Powered by NICT】

Liu Yuan; Liu Yurong; He Yujuan; Li Bin; En Yunfei; Fang Wenxiao

文献

J-GLOBAL ID：201602232711106267 整理番号：16A1257479

65nm技術で加工したMOSFETの低周波雑音特性【Powered by NICT】

Low-frequency noise characteristics in the MOSFETs processed in 65 nm technology

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巻： 37 号： 6 ページ： 064012_01-064012_06 発行年： 2016年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：中国 (CHN) 言語：英語 (EN)

65nm技術で処理されたMOSFETの低周波雑音挙動を本報で検討した。NMOSトランジスタの低周波雑音は,McWhorterの理論(キャリア数変動)と一致し,サブしきい値領域における低周波雑音は,PMOSトランジスタのためのMcWhorterの理論と一致し,チャネル強い反転領域におけるHoogeの理論(キャリア移動度変動)と一致した。キャリア数変動モデルによれば,NMOSとPMOSトランジスタのチャネルとゲート酸化物との間の界面付近で抽出されたトラップ密度は,それぞれ3.94×10(17)と3.56×10(18)cm ( 3)/eVであった。キャリア移動度ゆらぎモデルによれば,抽出された平均Hoogeのパラメータは2.42×10( 5)と4×10( 4)である。BSIMコンパクトモデルを考慮することにより,二雑音パラメータ(NOIA(国家海洋産業協会)とNOIB)は固有のチャネル雑音をモデル化することができることを示した。抽出NOIA(国家海洋産業協会)とNOIBはPMOSのための定数であり,それらの値は3.94×10(17)cm( 3)/eVと9.31×10( 4)V( 1_に等しかった。しかしNMOSに対する,NOIA(国家海洋産業協会)も一定NOIBは有効ゲート電圧に反比例した。NMOS抽出NOIA(国家海洋産業協会)とNOIBは3.56×10(18)cm( 3)/eVと1.53×10( 2)V ( 1)に等しかった。シミュレーションと実験結果の間の良好な一致を達成した。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

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トランジスタ

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