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J-GLOBAL ID：201602233974124704   整理番号：16A0787292

InGaN/AlGaN/A1N/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの伝達特性における電流プラトーの観測【Powered by NICT】

Observation of a Current Plateau in the Transfer Characteristics of InGaN/AlGaN/A1N/GaN Heterojunction Field Effect Transistors

著者 (14件)： Yan Junda (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Quan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Xiaoliang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Xiao Hongling (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Jiang Lijuan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yin Haibo (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Feng Chun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Cuimei (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Qu Shenqi (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Gong Jiamin (School of Electronic Engineering, Xi’an University of Posts and Telecommunications) ,  Zhang Bo (School of Electronic Engineering, Xi’an University of Posts and Telecommunications) ,  Li Baiquan (Beijing Huajin Chuangwei Technology Co., Ltd) ,  Wang Zhanguo (Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices) ,  Hou Xun (ISCAS-XJTU Joint Laboratory of Functional Materials and Devices for Informatics)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 32  号： 12  ページ： 127301-1-127301-4  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (InGaN)/AlGaN/AlN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(HFET)の直流伝達特性を提示した。V(GS)のドレイン電流プラトー(I(DS)=32.0mA/mm)をInGaN/AlGaN/AlN/GaN HFETの伝達特性に存在する+0.7Vto-0.6Visから。理論計算は,GaN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造における二次元電子ガス(2DEG)と二次元正孔ガス(2DHG)の共存を示し,伝導チャネル中の2°から2DHGの遮蔽効果がこの電流プラトーを説明することができる。さらに,I(DS)-V(GS)走査繰り返しを行った場合の電流プラトーは時間依存性挙動を示した。得られた洞察は,GaN系超HFETの製作における設計のための指標を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  直流 ,  二次元電子ガス ,  *電流 ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  時間依存性
準シソーラス用語： 遮蔽効果 ,  二次元正孔ガス ,  ヘテロ構造 ,  ドレイン電流 ,  HFET ,  *伝達特性 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 観察 ,  電流 ,  プラトー

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  電界効果トランジスタ ,  伝達特性 ,  観測