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J-GLOBAL ID：201602235247757897   整理番号：16A1373781

室温で加工した超高周波インジウム-ガリウム-亜鉛-酸化物Schottkyダイオード

Room Temperature Processed Ultrahigh-Frequency Indium-Gallium-Zinc-Oxide Schottky Diode

著者 (6件)： Jiawei Zhang (Sch. of Electr. & Electron. Eng., Univ. of Manchester, Manchester, UK) ,  Hanbin Wang (Sch. of Phys., Shandong Univ., Jinan, China) ,  Wilson Joshua (Sch. of Electr. & Electron. Eng., Univ. of Manchester, Manchester, UK) ,  Xiaochen Ma (Sch. of Electr. & Electron. Eng., Univ. of Manchester, Manchester, UK) ,  Jidong Jin (Dept. of Electr. Eng. & Electron., Univ. of Liverpool, Liverpool, UK) ,  Aimin Song (Sch. of Electr. & Electron. Eng., Univ. of Manchester, Manchester, UK)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 4  ページ： 389-392  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最も有望なアモルファス半導体の1つであるにもかかわらず,インジウム-ガリウム-亜鉛酸化物(IGZO)の研究の多くは低周波トランジスタに関するもので,高速ダイオードに向けられた努力は限られていた。本稿では,異なる活性領域を有するIGZOショットキーダイオードを,ガラス基板上の共平面マイクロ波導波路内に室温で製作した。ダイオード面積を小さくすることによって,ゼロバイアス時のカットオフ周波数を向上することができた。アクティブエリアが200μm²のダイオードでは,その固有カットオフ周波数が20GHzを超えることを示した。ダイオードに負荷を接続した整流回路は,15dBmの入力電力で4.2GHzのカットオフ周波数を示した。内因的成分および外因的成分を含めて,ダイオード特性に基づいたシミュレーションを行った。その結果は実験データとよく一致した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  SHF【周波数】 ,  非晶質半導体 ,  遮断周波数 ,  部品
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  *Schottkyダイオード ,  アモルファス半導体 ,  カットオフ周波数 ,  超高周波 ,  薄膜デバイス

著者キーワード (3件)： Schottky barriers ,  Thin film devices ,  IGZO

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  超高周波 ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  酸化物 ,  Schottkyダイオード