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J-GLOBAL ID：201602236470846797   整理番号：16A0771832

KバンドにおけるSatCom応用のための40dBm AlGaN/GaN HEMT電力増幅器MMIC【Powered by NICT】

A 40 dBm AlGaN/GaN HEMT power amplifier MMIC for SatCom applications at K-band

著者 (5件)： Friesicke C. (Institut fuer Hochfrequenztechnik, Technische Universitaet Hamburg-Harburg, Denickestr. 22, 21073, Germany) ,  Feuerschutz P. (Institut fuer Hochfrequenztechnik, Technische Universitaet Hamburg-Harburg, Denickestr. 22, 21073, Germany) ,  Quay R. (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (IAF), Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Ambacher O. (Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics (IAF), Tullastr. 72, 79108 Freiburg, Germany) ,  Jacob A. F. (Institut fuer Hochfrequenztechnik, Technische Universitaet Hamburg-Harburg, Denickestr. 22, 21073, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IMS  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 設計,実現,40dBmの飽和出力パワーを持つKバンド高出力増幅器の特性化を本論文で述べた。増幅器は半絶縁性SiC基板上の250nmゲート長AlGaN/GaN HEMT MMIC技術を用いて実現した。二段増幅器は,運転者の二六×90μm HEMT細胞と最終段階で四八×100μm HEMTセルを設計して,1:3の比較的攻撃的病期分類比を示した。32Vの電源電圧で測定すると,増幅器は,18GHzで40dBmの飽和出力電力を出力した。この周波数でピークPAEは30%であり,線形利得は20dBを超えた。これらの結果はKバンドで電力/効率に関して最新の性能である。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 線形性 ,  *HEMT ,  キャラクタリゼーション ,  利得 ,  *電力増幅器 ,  *増幅器 ,  *電力 ,  *MMIC ,  炭化ケイ素 ,  電源電圧 ,  半絶縁性 ,  *Kバンド ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム
準シソーラス用語： 出力電力 ,  ゲート長 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (8件)： Kバンド ,  SATCOM ,  応用 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  電力増幅器 ,  MMIC