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J-GLOBAL ID：201602237768389673   整理番号：16A1153164

FinFETの性能評価:多重サブバンドBTEからDDキャリブレーションへ【Powered by NICT】

Performance evaluation of FinFETs: From multisubband BTE to DD calibration

著者 (6件)： Jin Seonghoon (Device Lab, AHQ(DS) R&D, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA) ,  Pham Anh-Tuan (Device Lab, AHQ(DS) R&D, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA) ,  Choi Woosung (Device Lab, AHQ(DS) R&D, Samsung Semiconductor Inc., San Jose, CA, USA) ,  Pourghaderi Mohammad Ali (Semiconductor R&D center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea) ,  Kim Jongchol (Semiconductor R&D center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea) ,  Lee Keun-Ho (Semiconductor R&D center, Samsung Electronics, Hwasung-si, Gyeonggi-do, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SISPAD  ページ： 109-115  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 論理技術開発における非平面トランジスタの性能評価のための進歩した多重サブバンドBoltzmann輸送方程式(MSBTE)ソルバーを結合通常のドリフト-拡散(DD)モデルへの階層的アプローチを提案した。MSBTEシミュレーションからのDDモデルパラメータを抽出するための自動化された物理ベース法を記述した。有限障壁の有効表面粗さ散乱モデルに関する最新情報も示した。応用として,DDキャリブレーションへのMSBTEはシリコンナノワイヤトランジスタについて行った。較正されたパラメータセットは二重チャネルナノワイヤトランジスタに適用し,ソース/ドレイン直列抵抗と接触抵抗の影響を研究した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： トランジスタ ,  *性能評価 ,  *多重化 ,  接触抵抗 ,  自動化 ,  ドリフト
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  ナノワイヤトランジスタ ,  デュアルチャネル ,  シリコンナノワイヤトランジスタ ,  モデルパラメータ ,  ソルバ ,  輸送方程式 ,  *サブバンド ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  自然語処理  (JE06000L)

タイトルに関連する用語 (5件)： FinFET ,  性能評価 ,  多重 ,  サブバンド ,  キャリブレーション