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J-GLOBAL ID：201602244000845373   整理番号：16A0974375

電荷再分布を用いた過渡細胞供給電圧崩壊書込み支援【Powered by NICT】

Transient Cell Supply Voltage Collapse Write Assist Using Charge Redistribution

著者 (4件)： Kim Kiryong (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Jeong Hanwool (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Park Juhyun (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Korea) ,  Jung Seong-Ook (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, Korea)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 63  号： 10  ページ： 964-968  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： はスタティックランダムアクセスメモリ用の電荷再分布過渡細胞供給電圧崩壊書込み補助(CR-TVC-WA)について述べた。ワード線地下駆動読取補助は,ディープサブミクロン技術における安定な読み出し動作に必要であるが,書き込み性能を大きく劣化させる。この問題を克服するために,過渡細胞供給電圧(V_DD,細胞)崩壊書込み補助(TVC-WA)法が広く用いられているが,大量のエネルギーを消費する。提案したCR TVC WAでは,仮想細胞供給と基底ノードは一時的に浮遊させ,書込み動作中の互いに接続されている。これは書き込み能力を改善し,エネルギー消費を有意に減少させた。シミュレーションの結果は,書き込み操作は,1GHzで実行した場合,最小動作電圧(V_MIN)は約660mVであり,目標収量(6σ)を満たすために必要なさらに余分な書き込みエネルギー消費(3.8 fJ)は,従来型TVC WA(7.0 fJ)のそれと比較して46%減少することを示した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エネルギー消費 ,  *電圧 ,  SRAM ,  地中
準シソーラス用語： *供給電圧 ,  ディープサブミクロン ,  ワード線 ,  *電圧崩壊 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無線通信一般  (ND08010L) ,  計算機網  (JC03000K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電荷再分布 ,  細胞 ,  電圧崩壊 ,  書込み ,  支援