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J-GLOBAL ID：201602244031133735   整理番号：16A1123650

INAS/GAAS(001)量子ドットの成長に及ぼすパルスレーザ照射の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effects of in-situ surface modification by pulsed laser on InAs/GaAs (001) quantum dot growth

著者 (5件)： Zhang Wei (School of Optoelectronics Information Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University) ,  Shi Zhenwu (School of Optoelectronics Information Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University) ,  Huo Dayun (School of Optoelectronics Information Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University) ,  Guo Xiaoxiang (School of Optoelectronics Information Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University) ,  Peng Changsi (School of Optoelectronics Information Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Suzhou Nano Science and Technology, Soochow University)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 65  号： 11  ページ： 117801_01-117801_06  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： INAS/GAAS(001)量子ドットの成長過程において、INASの堆積量が0.9MLの場合、紫外光パルスレーザパルスを用いて潤層表面を,、高温でIN原子の不安定性により、レーザー誘起の原子脱離効果が拡大される。サンプルの表面に原子状の孔とナノ孔が現れた。原子間力顕微鏡の結果によると、ナノ孔は[110]方向が長軸(サイズ:20-50NM)、[110]方向が短軸(サイズ:15-40NM)の表面楕円の開口形状であり、孔の深さは0.5-3NMである。ナノ孔の密度はパルスレーザのエネルギー密度と正の相関があった。パルスレーザの照射は,量子ドットの成長に顕著な影響を及ぼした。一方、ナノ孔の表面自由エネルギーが低いため、堆積したINASは孔内に優先的に移動し、ナノ孔は量子ドットの優先核形成の位置になる。一方、孔外の領域はIN原子の脱着により、量子ドットの核形成が抑制される。ナノ細孔を有する浸潤層表面は、従来のマイクロ加工技術に類似して作製した図形基質が量子ドットの選択性成長に類似する機能を有するため、この研究は量子ドットの制御可能な成長に新たな構想を提供した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *パルスレーザ照射 ,  *パルスレーザ ,  高温 ,  浸潤 ,  エネルギー密度 ,  マイクロマシニング ,  原子間力顕微鏡 ,  堆積量 ,  *量子ドット ,  基質 ,  開放型 ,  紫外線 ,  核形成
準シソーラス用語： 表面自由エネルギー ,  ナノ細孔 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： InAs/GaAs(001) quantum dots ,  pulsed laser ,  photon stimulated desorption

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  成長 ,  パルスレーザ照射 ,  研究