文献

J-GLOBAL ID：201602245344118838   整理番号：16A0721186

トリフェニルホスフィン(PPh₃)-系n-ドーピング法を用いる高性能WSe₂/h-BN光検出器

A High-Performance WSe₂/h-BN Photodetector using a Triphenylphosphine (PPh₃)-Based n-Doping Technique

著者 (13件)： Jo Seo-Hyeon (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Kang Dong-Ho (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Shim Jaewoo (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Jeon Jaeho (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Jeon Min Hwan (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Yoo Gwangwe (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Kim Jinok (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Lee Jaehyeong (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Yeom Geun Young (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Lee Sungjoo (SKKU Advanced Institute of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea) ,  Yu Hyun-Yong (School of Electrical Engineering, Korea University, Seoul, 136-701, South Korea) ,  Choi Changhwan (Division of Materials Science and Engineering, Hanyang University, Seoul, 133-791, South Korea) ,  Park Jin-Hong (School of Electronic and Electrical Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, 440-746, South Korea)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 28  号： 24  ページ： 4824-4831  発行年： 2016年06月22日 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジセレン化タングステン(WSe₂)光検知器に及ぼすトリフェニルホスフィン(PPh₃)-系n-ドーピング及び六方晶系窒化ホウ素(h-BN)挿入の影響を系統的に調べ,非常に高い高性能WSe₂/h-BNヘテロ構造系光検出器が示された。波長520nmと5pW電力レーザ照射下で記録的な光応答性(1.27×10⁶AW^-1)と時間光応答(立ち上がり時間:2.8ms,減衰時間:20.8ms)をもつ。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ドーピング ,  *光検出器 ,  *芳香族化合物 ,  *有機リン化合物 ,  N型半導体 ,  *セレン化物 ,  *タングステン化合物 ,  *窒化ホウ素 ,  素子構造 ,  レーザ照射 ,  応答 ,  時間 ,  減衰時間
準シソーラス用語： *セレン化タングステン ,  *六方晶系窒化ホウ素 ,  ヘテロ構造 ,  光応答 ,  立上り時間

著者キーワード (5件)： nondegenerate doping ,  photodetectors ,  PPh3 ,  type-converted FET ,  WSe2

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  有機りん化合物  (CF08040N) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

物質索引 (1件)： トリフェニルホスフィン

タイトルに関連する用語 (3件)： トリフェニルホスフィン ,  ドーピング ,  光検出器