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J-GLOBAL ID：201602247836639726   整理番号：16A0726684

信頼性向上のためのフィールドプレートを用いたGaN HEMTの評価【Powered by NICT】

Evaluation of GaN HEMT with field plate for reliability improvement

著者 (9件)： Lin Y. C. (Department of Materials Science & Engineering, National Chiao-tung University, Taiwan) ,  Lin J. C. (Department of Materials Science & Engineering, National Chiao-tung University, Taiwan) ,  Lin Y. (Department of Materials Science & Engineering, National Chiao-tung University, Taiwan) ,  Wu C. H. (Department of Materials Science & Engineering, National Chiao-tung University, Taiwan) ,  Chin P. C. (Department of Materials Science & Engineering, National Chiao-tung University, Taiwan) ,  Hsu H. T. (International College of Semiconductor Technology, National Chiao-tung University, Taiwan) ,  Hsieh T. E. (Department of Materials Science & Engineering, National Chiao-tung University, Taiwan) ,  Iwai H. (International College of Semiconductor Technology, National Chiao-tung University, Taiwan) ,  Chang E. Y. (Department of Materials Science & Engineering, National Chiao-tung University, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CSW  ページ： 1  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 装置信頼性向上のためのフィールドプレートを持つGaN HEMTパワーデバイスを調べた。全体として,フィールドプレート構造はHEMT構造における電場分布を平滑化と欠陥の発生とデバイスにおける界面トラップを減少させ,高電圧ストレス後の定常動的オン抵抗と高い絶縁破壊電圧,低い漏れ電流,低電流劣化をもたらした。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 平滑化 ,  漏れ電流 ,  電流 ,  *HEMT ,  オン抵抗
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  界面トラップ ,  電界分布 ,  パワーデバイス ,  *GaN HEMT ,  *フィールドプレート ,  *信頼性向上 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 信頼性向上 ,  フィールド ,  GaN ,  HEMT ,  評価