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J-GLOBAL ID：201602252836487509   整理番号：16A0930248

Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造縦方向耐圧におけるSLS層周期数の影響

著者 (8件)： 山岡優哉 (大陽日酸) ,  山岡優哉 (名古屋工大) ,  各務憲 (名古屋工大) ,  生方映徳 (大陽日酸) ,  矢野良樹 (大陽日酸) ,  田渕俊也 (大陽日酸) ,  松本功 (大陽日酸) ,  江川孝志 (名古屋工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14a-P6-15  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *HEMT ,  *ウエハ【IC】 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  縦方向 ,  *耐圧性 ,  窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *Si基板

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  縦方向 ,  耐圧 ,  SLS ,  周期