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J-GLOBAL ID：201602254121778678   整理番号：16A0330030

AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける基板バイアスによるスイッチング特性の改善【Powered by NICT】

Improvement of switching characteristics by substrate bias in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors

著者 (7件)： Yang Ming (School of Physics, Shandong Univ. National Key Lab. of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Jinan) ,  Lin Zhaojun (School of Physics, Shandong Univ., Jinan) ,  Zhao Jingtao (School of Physics, Shandong Univ., Jinan) ,  Wang Yutang (School of Physics, Shandong Univ., Jinan) ,  Li Zhiyuan (School of Physics, Shandong Univ., Jinan) ,  Lv Yuanjie (Hebei Semiconductor Res. Inst. National Key Lab. of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Shijiazhuang) ,  Feng Zhihong (Hebei Semiconductor Res. Inst. National Key Lab. of Application Specific Integrated Circuit (ASIC), Shijiazhuang)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 24  号： 11  ページ： 117103-1-117103-4  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板に電圧バイアスを印加したAlGaN/AlN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のスイッチング特性を改善するための簡単で有効な方法を提示した。基板バイアスの増加に伴い,オフ状態ドレイン電流は大きく減少でき,ON状態電流を一定に保つ。オン/オフ電流比と閾値下スイングの両方が大きく改善されることを実証した。薄くした基板を,基板バイアスによるスイッチング特性の改善が大きいことが分かった。スイッチング特性の上記の改善は,GaNバッファ層,GaNバッファ層の伝導度を低下させる基板バイアス誘起電気場およびバルクトラップ間の相互作用に起因する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  バッファ層 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *窒化アルミニウム ,  電場 ,  *バイアス ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： オン状態 ,  ドレイン電流 ,  オフ状態 ,  HFET ,  *スイッチング特性 ,  *基板バイアス ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  基板バイアス ,  スイッチング特性