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J-GLOBAL ID：201602255413119418   整理番号：16A0806969

III-窒化物ナノワイヤレーザ【Powered by NICT】

III-Nitride nanowires lasers

著者 (11件)： Wang George T. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Li Changyi (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM, 87106, USA) ,  Liu Sheng (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Wright Jeremy B. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Leung Benjamin (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Koleske Daniel D. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Figiel Jeffrey J. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Luk Ting S. (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Brener Igal (Sandia National Laboratories, Albuquerque, New Mexico 87185, USA) ,  Balakrishnan Ganesh (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM, 87106, USA) ,  Brueck Steven R. J. (Center for High Technology Materials, University of New Mexico, Albuquerque, NM, 87106, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SUM  ページ： 25-26  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノワイヤはコヒーレントなナノスケール光源として関心を集めている。トップダウン手法を用いて,制御可能な高さ,ピッチと直径を持つ高品質III族窒化物系ナノワイヤを実現した。作製,及びこの方法により作製したGaNおよびGaN/InGaN系ナノワイヤのレーザ発振特性を示し,単一光モード選択,偏光制御,ビーム成形,波長同調のためのスキームである。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 波長 ,  モード選択 ,  光源 ,  同調 ,  窒化ガリウム ,  *窒化物 ,  *ナノワイヤ ,  ビーム成形 ,  レーザ発振 ,  コヒーレンス
準シソーラス用語： 偏光制御 ,  InGaN ,  高品質 ,  トップダウン ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒化物 ,  ナノワイヤ ,  レーザ