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J-GLOBAL ID：201602257866603616   整理番号：16A0930332

反応性スパッタ法によるTiO₂薄膜の結晶構造制御(1);成膜パラメータによる,あるいはSnドープによるルチルの選択成長

著者 (8件)： 山本晴香 (青山学院大 理工) ,  JIA Junjun (青山学院大 理工) ,  古武悠 (青山学院大 理工) ,  中村新一 (青山学院大 理工) ,  岡島敏浩 (九州シンクロトロン光研究セ) ,  伊村正明 (日本電気硝子) ,  金井敏正 (日本電気硝子) ,  重里有三 (青山学院大 理工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14p-A31-4  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化チタン ,  *薄膜 ,  結晶構造 ,  制御 ,  選択成長 ,  *反応性スパッタリング ,  パラメータ ,  薄膜成長 ,  ドーピング ,  スズ ,  *ルチル型結晶 ,  *二酸化チタン ,  構造制御 ,  *酸化物薄膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 反応性スパッタ法 ,  TiO2 ,  薄膜 ,  結晶構造 ,  成膜 ,  パラメータ ,  Sn ,  ドープ ,  ルチル ,  選択成長