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J-GLOBAL ID：201602260455314989   整理番号：16A0989795

シリコン単一電子トランジスタに基づく高感度電荷走査型プローブ【Powered by NICT】

A sensitive charge scanning probe based on silicon single electron transistor

著者 (4件)： Su Lina (Department of Electronic Engineering,Jiangnan University) ,  Li Xinxing (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences) ,  Qin Hua (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences) ,  Gu Xiaofeng (Department of Electronic Engineering,Jiangnan University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 4  ページ： 044008-1-044008-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一電子トランジスタ(SET)は,それらの高い電荷感度のために超高感度電位計であることが知られている。本研究では,設計,製作,およびシリコン上にinsulatorbased SET走査型プローブの特性を報告する。作製したSETはプローブ先端から離れた約10μmに位置している。直径約70nmの量子ドットをもつSETは4.1Kで測定した明確なCoulombブロッケード効果を示した。Coulombブロッケードエネルギーは約18meVで,電荷感度は10~(-5)-10(-3)6e/Hz(1/2)の順であった。SET走査プローブを電荷分布をマッピングし,試験下でナノデバイスまたは回路の動的電荷ゆらぎを検出するために使用し,高い感度と高い空間分解能電荷検出を実現することができる。Data from the ScienceChina, LCAS.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *走査 ,  量子ドット ,  *単一電子トランジスタ ,  *プローブ ,  Coulombブロッケード ,  *高感度 ,  空間分解能 ,  電位計 ,  電荷分布 ,  *電荷 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 電荷検出 ,  電荷ゆらぎ ,  ナノデバイス ,  超高感度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 単一電子トランジスタ ,  走査型プローブ ,  シリコン・オン・インシュレータ ,  Coulombブロッケード ,  電荷検出

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  単一電子トランジスタ ,  高感度 ,  電荷 ,  走査型 ,  プローブ