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J-GLOBAL ID：201602264193704112   整理番号：16A0856848

SIO_2薄膜の非均質特性に及ぼす調製プロセス条件の影響を【JST・京大機械翻訳】

Influence of fabrication conditions on inhomogeneityof large dimensions SiO_2 thin film

著者 (6件)： Wang Li (Beijing Institute of Space Mechanics & Electricity) ,  Wang Peng (Beijing Institute of Space Mechanics & Electricity) ,  Wang Gang (Beijing Institute of Space Mechanics & Electricity) ,  Wang Peipei (Beijing Institute of Space Mechanics & Electricity) ,  Bai Yunli (Beijing Institute of Space Mechanics & Electricity) ,  Liu Huasong (Tianjin Jinhang Institute of Technical Physics)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 28  号： 2  ページ： 022003-001-022003-006  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： コーターのサイズの増大につれて薄い膜材料の成長過程で新しい規律を呈するとともに,制備膜層均一性のために、材料の均質の大寸法の光学素子に良く,異なるイオン源エネルギーではそれぞれ圧力,基板加熱温度及び基板回転速度条件下で堆積したイオンを用いて補助電子ビーム蒸発方法,異なる単一層SIO_2薄膜サンプルを調製した;異なるサンプルの屈折率および非均質特性は,サンプルの透過率と偏光解析パラメータに対してそれぞれ測定を行い,エリプソメータに及び分光光度計を用いることによって,そして,測定結果に対してフィッティングを行い得た。実験結果は,工作物架転速が材料の成長過程への影響によって材料の非均質特性調節を発生させた大サイズSIO_2薄膜材料の不均質特性の主要な影響因子が発生し,イオン源のエネルギー、基板温度、圧力堆積であることを示した;に対しては,サイズの大きい薄膜光学素子の工作物架転速制限が存在する条件下,他のプロセスパラメータを最適化して薄いSIO_2均質膜材料を得ることができ,この結果は,調製が優れた性能の大サイズを有する薄膜光学素子に対して参考意義を有する。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン源 ,  最適化 ,  分光光度計 ,  電子ビーム蒸着 ,  基板温度 ,  加熱温度 ,  工作物 ,  成長段階 ,  薄膜光学 ,  屈折率 ,  光学素子 ,  プロセスパラメータ ,  エリプソメータ ,  *薄膜 ,  透過率

著者キーワード (5件)： electric beam evaporation ,  stacking density ,  inhomogeneity ,  fabrication parameters ,  optical thin film

分類 (2件)： 偏光測定と偏光計  (BD07050K) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  調製 ,  プロセス条件