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J-GLOBAL ID：201602265455178711   整理番号：16A1199565

絶縁性GaAs/AlGaAs量子井戸界面に超薄InAs層を挿入することによるRashba/Dresselhausスピン分裂の調整

Tuning of Rashba/Dresselhaus Spin Splittings by Inserting Ultra-Thin InAs Layers at Interfaces in Insulating GaAs/AlGaAs Quantum Wells

著者 (13件)： YU Jinling (Fuzhou Univ.) ,  YU Jinling (Changzhou Univ.) ,  ZENG Xiaolin (Fuzhou Univ.) ,  ZENG Xiaolin (Changzhou Univ.) ,  CHENG Shuying (Fuzhou Univ.) ,  CHENG Shuying (Changzhou Univ.) ,  CHEN Yonghai (Univ. Chinese Acad. of Sci.) ,  LIU Yu (Univ. Chinese Acad. of Sci.) ,  LAI Yunfeng (Fuzhou Univ.) ,  LAI Yunfeng (Changzhou Univ.) ,  ZHENG Qiao (Fuzhou Univ.) ,  ZHENG Qiao (Changzhou Univ.) ,  REN Jun (Tsinghua Univ.)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 11  号： 1  ページ： 11:477 (WEB ONLY)  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンド間励起における円偏光光ガルバノ効果(CPGE)によって誘起されたスピン光電流スペクトルを使用して研究を行った(001)成長GaAs/AlGaAs量子井戸(QW)のRashbaおよびDresselhausスピン分裂比をQWの井戸幅を変えること,およびGaAs/AlGaAs QWの界面に単層厚のInAs層を挿入することによって,効率的に調整できた。反射率差分光法(RDS)も,QWの界面非対称性を研究するために使用し,その結果はCPGE測定によって得られた結果とよく一致する。挿入された超薄InAs層は構造反転非対称性(SIA)を導入するだけでなく,井戸幅がより小さいQWにおいてはその効果がより強くなる付加的な界面反転非対称性(IIA)をもたらすことを実証する。挿入されたInAs層はIIAよりも大きなSIAをもたらすことも発見する。挿入された超薄InAs層によって導入された付加的なSIAおよびIIAの起源について議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 電気絶縁 ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *量子井戸 ,  *界面 ,  *超薄膜 ,  *ヒ化インジウム ,  挿入 ,  *スピン-軌道相互作用 ,  *スペクトル線分裂 ,  励起 ,  光ガルバノ効果 ,  円偏光 ,  電流 ,  幅 ,  単一層 ,  スペクトロスコピー ,  非対称性 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  スピン電流 ,  スピン分裂 ,  界面反転 ,  光電流スペクトル ,  反射率差分光法

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁性 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  界面 ,  InAs ,  スピン分裂