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J-GLOBAL ID：201602267986786058   整理番号：16A0793948

GAAS6ビット列並列アクチュエータチップの開発【JST・京大機械翻訳】

Development of GaAs 6-Bit Serial / Parallel Switch Driver Chip

著者 (2件)： Zhao Zirun (The 13(th) Research Institute, CETC) ,  Chen Fengxia (The 13(th) Research Institute, CETC)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 40  号： 12  ページ： 894-898  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 0.25ΜMMのひ化ガリウム(GAAS)、Yan配高デブレッション型電子移動度トランジスタ(E/D PHEMT)プロセスを増強し,そして1つのストリングを設計し,アクチュエータチップを並列実現する,このチップの応用の直接カップリング電界効果トランジスタ論理(DCFL)構造,シフトレジスタラッチを実現し、出力バッファなどのディジタル論理回路のモノリシック集積化した。チップは6ビットの直列または並列データを入力できる,6対相補電平以制御スイッチ、減衰器などのGAASマイクロ波モノリシック集積回路(MMIC)を出力する。試験の結果,5Vの動作電圧の下でチップの静的電流は7.6MA,4.8V並列出力高レベル,低レベル0.1V,伝送遅延時間125NSであった。アクチュエータのチップサイズは2.5MM×1.45MMであった。この回路は,応答速度が速く、ひ化ガリウムMMICとの集積が容易であるなどの特長を持ち,広く、各類の多機能回路およびコンポーネントモジュールに適用することができる。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  MMIC ,  ディジタル方式 ,  *アクチュエータ ,  減衰器 ,  マイクロ波 ,  ヒ化ガリウム ,  半導体集積回路
準シソーラス用語： 多機能 ,  応答速度 ,  チップサイズ ,  伝送遅延 ,  モノリシック集積化 ,  DCFL ,  電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaAs ,  pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) Switch driver ,  Microwave monolithic integrected circuit (MMIC) ,  Enhancement mode

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： アクチュエータ ,  開発