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J-GLOBAL ID：201602268071039434   整理番号：16A1018175

HFO_2の抵抗変化型メモリにおけるAG導電性フィラメントの方向,および濃度に基づく第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Orientation and concentration of Ag conductive filament in HfO_2-based resistive random access memory: first-principles study

著者 (7件)： Dai Yuehua (Institute of Electronic and Information Engineering, Anhui University) ,  Pan Zhiyong (Institute of Electronic and Information Engineering, Anhui University) ,  Chen Zhen (Institute of Electronic and Information Engineering, Anhui University) ,  Wang Feifei (Institute of Electronic and Information Engineering, Anhui University) ,  Li Ning (Institute of Electronic and Information Engineering, Anhui University) ,  Jin Bo (Institute of Electronic and Information Engineering, Anhui University) ,  Li Xiaofeng (Internet Network Information Center, Hefei Institutes of Physical Science, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 65  号： 7  ページ： 073101-1-073101-9  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： HFO_2の抵抗変化型メモリに基づく濃度AG導電性フィラメントおよび方向性を,密度汎関数理論に基づく第一原理法を用いて研究した。AG不純物の5種類の方向モデルの部分電荷密度等の勢面図形成エネルギー、 リテラル遷遷移障壁と部分電荷状態密度の最も高いポテンシャルエネルギーを計算することにより,[-111]方向が最もAG導電性フィラメントの形成にも有利であり,これはデバイスのオン電圧形成電圧とスイッチング比は大きな影響があることを発見した。本論文では[-111]の最適導電性フィラメントの方向に基づいて,4つのAG濃度構造を設計した。4種類のAG濃度構造の勢面図部分電荷状態密度等を計算し,AG濃度を下回る4.00ATを得る。%時晶胞構造における導電性フィラメントの形成そして無阻変現象がなかった。AG濃度が4.00から AT。%まで増加した。4.95 AT。%とき,格子構造における導電性フィラメントの形成を認めた,AG濃度が高い4.00ATを示した。%のときには,単位セル中の抵抗変化型現象が発生することができる。しかし,更なる比較をこの2種類の格子構造におけるAGの形成を計算することによりエネルギーは、抵抗変化型メモリのスイッチング比を上げることに不利とわかった。部分波電荷状態密度の最も高いポテンシャルエネルギーリテラルの全状態密度と射影状態密度のAG,AGの濃度が大きいほど,導電性フィラメントが不安定に冷却,また本論文の研究結果に基づくHFO_2の抵抗変化型メモリの性能を改善するために一定の理論的指針を提供することができる。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 状態密度 ,  格子構造 ,  不純物 ,  射影 ,  ポテンシャルエネルギー ,  *第一原理 ,  指向性 ,  部分波 ,  電荷 ,  密度汎関数法
準シソーラス用語： 荷電状態 ,  *抵抗変化 ,  形成エネルギー ,  *導電性フィラメント ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： resistive random access memory ,  Ag concentration ,  Ag orientation ,  first-principles

分類 (9件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 抵抗変化型メモリ ,  Ag ,  導電性フィラメント ,  第一原理 ,  研究