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J-GLOBAL ID：201602268102444409   整理番号：16A0940700

立方晶磁性半導体(Sc_1-xM_x)F₃(M=Al,Fe)の熱膨張挙動の変形調整変化

The Distortion-Adjusted Change of Thermal Expansion Behavior of Cubic Magnetic Semiconductor (Sc_1-xM_x)F₃ (M = Al, Fe)

著者 (8件)： Han Fei (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Chen Jun (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China. [e-mail]) ,  Hu Lei (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Ren Yang (Argonne National Laboratory, X-Ray Science Division, Argonne, Illinois, 60439) ,  Rong Yangchun (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Pan Zhao (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Deng Jinxia (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China) ,  Xing Xianran (Department of Physical Chemistry, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, China)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 99  号： 9  ページ： 2886-2888  発行年： 2016年09月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負の熱膨張(NTE)化合物の研究のためには,熱膨張の効果的な制御が重要である。本研究では,強いNTEを示すScF₃の熱膨張挙動を制御するため,化学的手法を採用した。置換イオン半径の差異のため,格子マトリックスに局所変形が不可避的に発生することを,高分解能シンクロトロンX線散乱の対分布関数解析により実証した。ScF₃系および他の三フッ化物における熱膨張挙動は金属-F-金属架橋の構造変形と密接に関連することが示唆された。さらに,3d遷移金属の導入により,半導体および強磁性特性が可能になる。開骨格構造のNTEの熱膨張の制御および多機能化の導入に対して,重要な見解を提供した。Copyright 2016 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *磁性半導体 ,  *フッ化物 ,  スカンジウム化合物 ,  添加物効果 ,  アルミニウム ,  鉄 ,  *結晶構造 ,  立方晶系 ,  *熱膨張 ,  熱膨張係数 ,  格子定数 ,  格子歪 ,  イオン半径 ,  置換【油層】 ,  架橋【高分子】 ,  遷移金属 ,  シンクロトロン放射 ,  温度依存性 ,  分布関数
準シソーラス用語： 負の熱膨張 ,  サイト占有 ,  シンクロトロン放射X線 ,  対分布関数

著者キーワード (4件)： conductivity ,  fluorine/fluorine compounds ,  thermal expansions ,  dopants/doping

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 立方晶 ,  磁性半導体 ,  Fe ,  熱膨張 ,  挙動