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J-GLOBAL ID：201602268129152648   整理番号：16A0911527

ホウ素を高濃度ドープした(113)方位の厚いCVDダイヤモンド膜

Growth of thick and heavily boron-doped (113)-oriented CVD diamond films

著者 (8件)： Tallaire A. (Laboratoire des Sciences des Procedes et des Materiaux (LSPM), Universite Paris 13, Sorbonne Paris Cite, CNRS, 93430 Villetaneuse, France) ,  Valentin A. (Laboratoire des Sciences des Procedes et des Materiaux (LSPM), Universite Paris 13, Sorbonne Paris Cite, CNRS, 93430 Villetaneuse, France) ,  Mille V. (Laboratoire des Sciences des Procedes et des Materiaux (LSPM), Universite Paris 13, Sorbonne Paris Cite, CNRS, 93430 Villetaneuse, France) ,  William L. (Laboratoire des Sciences des Procedes et des Materiaux (LSPM), Universite Paris 13, Sorbonne Paris Cite, CNRS, 93430 Villetaneuse, France) ,  Pinault-Thaury M.A. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (GEMaC), Universite Versailles St Quentin, CNRS, 78035 Versailles, France) ,  Jomard F. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (GEMaC), Universite Versailles St Quentin, CNRS, 78035 Versailles, France) ,  Barjon J. (Groupe d’Etude de la Matiere Condensee (GEMaC), Universite Versailles St Quentin, CNRS, 78035 Versailles, France) ,  Achard J. (Laboratoire des Sciences des Procedes et des Materiaux (LSPM), Universite Paris 13, Sorbonne Paris Cite, CNRS, 93430 Villetaneuse, France)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 66  ページ： 61-66  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ワイドバンドギャップ半導体としてのダイヤモンドは,パワーエレクトロニクスに対する無類の性能指数を示す。しかしながら,基本的デバイスの開発に不可欠な厚い大面積の電気伝導性ダイヤモンド材料の乏しい入手可能性により,この応用が妨げられている。CVD成長の最適化および通常の(100)そしてもっと稀に(111)結晶方位に対するドーピングに対して努力が払われているが,(113)はほぼ全く考慮されていない。本研究では,様々なホウ素ドーピングレベルを持つ(113)方位の基板上への,厚いCVDダイヤモンド膜の成長について報告する。著者らは,(100)と比較して5倍改善されたドーピング効率を持つ高品位の膜が,この方位上に対して得られることを見出した。低抵抗率と4×10²⁰cm^-3のドーピングレベルを持つ厚い自立CVD板を実際に示し,この事はこの方位をベースとした高効率ショットキーダイオードの作製に道を開く。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 薄膜 ,  *ダイヤモンド ,  *厚膜 ,  *化学蒸着 ,  *ホウ素 ,  *ドーピング ,  基板 ,  *電気抵抗率 ,  アルカン ,  水素 ,  マイクロ波照射 ,  ジボラン ,  *Schottky障壁ダイオード
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  Schottkyダイオード ,  ダイヤモンド膜 ,  抵抗率

著者キーワード (4件)： Single crystal diamond ,  Doping ,  Vertical diodes ,  Thick films

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  ダイオード  (NC03050R)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (6件)： ホウ素 ,  高濃度 ,  ドープ ,  方位 ,  CVD ,  ダイヤモンド膜