調節可能な光応答を持つグラフェン-MoS<sub>2</sub>van der Waals p-nヘテロ接合に基づく電解質フォトトランジスタ

Henck Hugo; Pierucci Debora; Chaste Julien; Naylor Carl H.; Avila Jose; Balan Adrian; Silly Mathieu G.; Asensio Maria C.; Sirotti Fausto; Johnson A. T Charlie; Lhuillier Emmanuel; Ouerghi Abdelkarim

文献

J-GLOBAL ID：201602269388150641 整理番号：16A0928530

調節可能な光応答を持つグラフェン-MoS₂van der Waals p-nヘテロ接合に基づく電解質フォトトランジスタ

Electrolytic phototransistor based on graphene-MoS₂ van der Waals p-n heterojunction with tunable photoresponse

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著者 (12件)：

Henck Hugo

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(Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, C2N - Marcoussis, 91460 Marcoussis, France)

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Pierucci Debora

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Johnson A. T Charlie

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Ouerghi Abdelkarim

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資料名：

Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 109 号： 11 ページ： 113103-113103-5 発行年： 2016年09月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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調節可能な光応答を持つグラフェン-MoS2van der Waals p-nヘテロ接合に基づく電解質フォトトランジスタ

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