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J-GLOBAL ID：201602270625959343   整理番号：16A0865365

LiドープNiO薄膜の構造,電気,光学的性質に与えるアニーリング条件の効果

Effect of annealing conditions on the structural, electrical and optical properties of Li-doped NiO thin films

著者 (9件)： Chu Xianwei (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Leng Jiyan (Norman Bethune University of Medical Sciences, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Liu Jia (Norman Bethune University of Medical Sciences, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Shi Zhifeng (Department of Physics and Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou, People’s Republic of China) ,  Li Wancheng (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Zhuang Shiwei (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Yang Hang (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Du Guotong (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Yin Jingzhi (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 6  ページ： 6408-6412  発行年： 2016年06月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明導電性酸化物(TCO)p型LiドープNiO薄膜を,高純度NiO:Li₂Oセラミックをターゲットにしたマグネトロンスパッタリング技術で(0001)サファイア基板上にデポジットした。異なる条件でアニールしたNiO:Li薄膜の構造,電気,光学的性質を系統的に調べた。異なる条件でのアニーリングがNiO:Li薄膜の物特性に大きく影響することが分かった。酸素でアニールしたNiO:Li薄膜と比べて,同じ処理温度で窒素中でアニールしたNiO:Li薄膜の正孔濃度は明らかに低い。酸素中500°Cでアニールすると,NiO:Li膜は単一(111)配向で正孔濃度が高い優れた結晶品質を示す。アニール温度が高くなると,NiO:Li薄膜の透過率は紫外(UV)から可視の波長範囲で良くなり,350nm近傍に顕著な吸収エッジがある。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated into Japanese from English by JST.

シソーラス用語： *リチウム ,  ドーピング ,  *酸化ニッケル ,  酸化物 ,  薄膜 ,  *電気的性質 ,  *光学的性質 ,  構造特性 ,  焼なまし ,  化合物半導体 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  キャリア密度 ,  温度
準シソーラス用語： アニーリング ,  *アニーリング温度 ,  サファイア基板 ,  酸化物薄膜 ,  正孔濃度 ,  透明導電性酸化物 ,  酸化ニッケル(II)

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： Li ,  ドープ ,  薄膜 ,  光学的性質 ,  アニーリング条件