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J-GLOBAL ID:201602271809552585   整理番号:16A0966948

CBDアニーリングルートによるCu2ZnSnS4薄膜太陽電池の生成 積層SnS/Cu(S)/ZnS中のCuとCuSの比較

Formation of Cu2ZnSnS4 thin film solar cell by CBD-annealing route: Comparison of Cu and CuS in stacked layers SnS/Cu(S)/ZnS
著者 (8件):
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巻: 129  ページ: 1-9  発行年: 2016年05月 
JST資料番号: E0099A  ISSN: 0038-092X  CODEN: SRENA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,2つのタイプのCuソース,すなわちCuとCuSが,Cu2ZnSnS4薄膜とCBDアニーリングルートによる積層SnS/Cu(S)/ZnSを有する太陽電池の作製において導入介されて,比較されます,そして形態,化学組成,相構造および光電気特性の比較を行った。積層SnS/Cu/ZnSで作製された形態と相純度の高品質なCu2ZnSnS4薄膜が,Cu2ZnSnS4薄膜太陽電池の高性能にはより適切であることを結果は示した。化学浴析出法アニーリングルートによる積層SnS/Cu/ZnSで作製されたCu2ZnSnS4太陽電池は,積層SnS/CuS/ZnSを利用する物に比べて3.79%の改良された変換効率を示した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 

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