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J-GLOBAL ID：201602273001581759   整理番号：16A0768851

量子Hall抵抗標準のための化学蒸着グラフェンの改善【Powered by NICT】

Improvement of chemical vapor deposition graphene for quantum Hall resistance standards

著者 (7件)： Wang Xueshen (National Institute of Metrology (NIM), China) ,  Li Jinjin (National Institute of Metrology (NIM), China) ,  Zhong Qing (National Institute of Metrology (NIM), China) ,  Zhong Yuan (National Institute of Metrology (NIM), China) ,  Fu Kai (National Institute of Metrology (NIM), China) ,  Zhou Zhiqiang (National Institute of Metrology (NIM), China) ,  Wang Zezhang (National Institute of Metrology (NIM), China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： CPEM 2016  ページ： 1-2  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学蒸着(CVD)グラフェンに基づく量子Hall(QH)標準デバイスはSiC上のエピタキシャルグラフェンに基づくもののように優れた特性を示さなかった。これは不純物,欠陥と不均一性のためである。本論文では,表面酸性処理と低酸素成長法によるCVDグラフェンの品質を改善することに進歩を実証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不均一性 ,  *グラフェン ,  酸性 ,  炭化ケイ素 ,  酸素欠乏 ,  不純物 ,  品質 ,  *化学蒸着
準シソーラス用語： *Hall抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 量子 ,  Hall抵抗 ,  標準 ,  化学蒸着 ,  グラフェン