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J-GLOBAL ID：201602273005148381   整理番号：16A1380561

80MeV酸素イオンビームを用いた広バンドギャップFe:SnO₂/Li:NiOp-n接合の光学的及び電気的性質の同調

Tuning of optical and electrical properties of wide band gap Fe:SnO2/Li:NiO p-n junctions using 80 MeV oxygen ion beam

著者 (3件)： Mistry Bhaumik V. (Department of Physics, School of Sciences, Gujarat University, Ahmedabad, India) ,  Avasthi D. K. (Inter University Accelerator Centre, New Delhi, India) ,  Joshi U. S. (Department of Physics, School of Sciences, Gujarat University, Ahmedabad, India)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 122  号： 12  ページ： Article:1024,1-8  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先進エレクトロニクス応用のために,原初及び高速重イオン(SHI)照射p-n接合の電気的及び光学的性質を調べた。cサファイア基板上のパルスレーザ堆積を用いて,Fe:SnO₂/Li:NiOp-n接合を製作した。Fe:SnO₂及びLi:NiO膜の光学バンドギャップは,それぞれ3.88及び3.37eVと得られた。酸化物系p-n接合の電流-電圧特性は,0.95Vのターンオン電圧を持つ整流挙動を示した。1×10¹²イオン/cm²のフルエンスを持つ80MeVのO⁺⁶イオンで酸化物系p-n接合を照射した。SHI照射による粒体サイズの減少が,すれすれ角X線回折及び原子間力顕微鏡法により確認された。原始p-n接合ダイオードに比べて,O⁺⁶イオン照射p-n接合ダイオードは表面粗度の増大及び可視領域でのパーセント透過率の減少を示した。照射p-n接合ダイオードに対しては,電流-電圧曲線は未だに整流挙動を示すが,原始p-n接合ダイオードより低いターンオン電圧を示した。Copyright 2016 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化スズ ,  *酸化ニッケル ,  *鉄 ,  *リチウム ,  *ドーピング ,  *PN接合 ,  基板 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *電流電圧特性 ,  電圧 ,  整流 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  表面性状 ,  透過率 ,  10-100MeV ,  *酸素ビーム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *光学ギャップ ,  *光学定数 ,  顕微鏡観察 ,  *電気伝導率 ,  *透明導電膜 ,  *重イオン照射
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  ターンオン電圧

分類 (4件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (8件)： 酸素イオン ,  ビーム ,  バンドギャップ ,  Fe ,  Li ,  光学 ,  電気的性質 ,  同調