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J-GLOBAL ID：201602273040697089   整理番号：16A0980025

BドープSRTIO_3の電子構造の第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

First-principles calculations on electronic structures of B-doped SrTiO_3

著者 (6件)： Liu Chenji (College of Electronic and Information Engineering, Hebei University) ,  Jia Yunlong (College of Electronic and Information Engineering, Hebei University) ,  Liu Hong (College of Electronic and Information Engineering, Hebei University) ,  Wu Yi (College of Electronic and Information Engineering, Hebei University) ,  Liu Lei (College of Electronic and Information Engineering, Hebei University) ,  Zheng Shukai (College of Electronic and Information Engineering, Hebei University, Hebei Key Laboratory of Digital Medical Engineering)
資料名： Zhongguo Youse Jinshu Xuebao  (Zhongguo Youse Jinshu Xuebao)
巻： 26  号： 3  ページ： 616-622  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0943A  ISSN： 1004-0609  CODEN： ZYJXFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理の平面波超ソフト擬ポテンシャル法を利用して,未ドープB位SR、Bに代わってTI置換B位のOとBの隙間に代わってドープSRTIO_3の格子パラメータ、MULLIKEN電荷ポピュレーション構造の状態密度と光吸収係数をバンド計算を行った。結果:BSRとB位に代わってTI置換ドープSRTIO_3の電子構造と光学的性質の影響がなかった;B位Oドーピングに代わってSRTIO_3のバンドギャップ中には3つの不純物準位を導入すると,不純物準位上の電子がエネルギーの小さい光子を吸収できる遷移至導帯,光強度は可視光長波長550NMから始まって次第に増加し,スペクトル吸収の赤方偏移が吸収する;間隙原子の形でBをドープした時,SRTIO_3のバンドギャップ幅は大幅に増大し,電子遷移エネルギーは,スペクトル吸収端は青方偏移が増加した。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 赤方偏移 ,  バンドギャップ ,  擬ポテンシャル法 ,  可視光 ,  密度汎関数法 ,  不純物準位 ,  格子定数 ,  *ドーピング ,  *第一原理 ,  吸収端 ,  平面波 ,  青方偏移 ,  状態密度
準シソーラス用語： 吸光係数 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SrTiO_3 ,  B-doped ,  electronic structure ,  optical property ,  first-principle

分類 (2件)： 絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： ドープ ,  電子構造 ,  第一原理計算